Справочник MOSFET. G86N06K

 

G86N06K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G86N06K
   Маркировка: G86N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 77 nC
   trⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 281 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

G86N06K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:864K  goford
 g86n06k.pdf pdf_icon

G86N06K

G86N06K GOFORD Description VDS S RDS (on) ID The G86N06K uses advanced trench technology to provide @ (Typ.) 10V excellent R , low gate charge and rugged E DS(ON) AScapability. This device is suitable for PWM, load switching 60V 7.9m 68A especially for E-Bike controller application. D General Features High power and current handing capability G 100

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HU840U | ME2301 | IPD70N04S3-07 | MRF5007R1 | AP9408GH

 

 
Back to Top

 


 
.