G86N06K - описание и поиск аналогов

 

G86N06K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G86N06K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 281 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для G86N06K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G86N06K даташит

 ..1. Size:864K  goford
 g86n06k.pdf pdf_icon

G86N06K

G86N06K GOFORD Description VDS S RDS (on) ID The G86N06K uses advanced trench technology to provide @ (Typ.) 10V excellent R , low gate charge and rugged E DS(ON) AS capability. This device is suitable for PWM, load switching 60V 7.9m 68 A especially for E-Bike controller application. D General Features High power and current handing capability G 100

Другие MOSFET... G50N03A , G50N03K , G5N50T , G5N50F , G5N50J , G5N50K , G6P06 , G7P03L , IRFZ48N , G90N04 , GC11N65T , GC11N65F , GC11N65K , GC11N70K , GC11N70T , GC11N70F , GT045N10M .

History: RZF030P01 | AP16T10GH | SIJ470DP | SMG2319P | IPD60R600P7 | BTS247Z | 2SK3646-01SJ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.