G86N06K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: G86N06K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 281 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для G86N06K
G86N06K Datasheet (PDF)
g86n06k.pdf

G86N06K GOFORD Description VDS S RDS (on) ID The G86N06K uses advanced trench technology to provide @ (Typ.) 10V excellent R , low gate charge and rugged E DS(ON) AScapability. This device is suitable for PWM, load switching 60V 7.9m 68A especially for E-Bike controller application. D General Features High power and current handing capability G 100
Другие MOSFET... G50N03A , G50N03K , G5N50T , G5N50F , G5N50J , G5N50K , G6P06 , G7P03L , RU7088R , G90N04 , GC11N65T , GC11N65F , GC11N65K , GC11N70K , GC11N70T , GC11N70F , GT045N10M .
History: 2SJ506S | HM2369 | JCS640SH
History: 2SJ506S | HM2369 | JCS640SH



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet