Справочник MOSFET. G86N06K

 

G86N06K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G86N06K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 281 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для G86N06K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G86N06K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:864K  goford
 g86n06k.pdf pdf_icon

G86N06K

G86N06K GOFORD Description VDS S RDS (on) ID The G86N06K uses advanced trench technology to provide @ (Typ.) 10V excellent R , low gate charge and rugged E DS(ON) AScapability. This device is suitable for PWM, load switching 60V 7.9m 68A especially for E-Bike controller application. D General Features High power and current handing capability G 100

Другие MOSFET... G50N03A , G50N03K , G5N50T , G5N50F , G5N50J , G5N50K , G6P06 , G7P03L , RU7088R , G90N04 , GC11N65T , GC11N65F , GC11N65K , GC11N70K , GC11N70T , GC11N70F , GT045N10M .

History: AP3C010H | AOT2502L | FTA02N65 | DH8004B | 2SK2666 | HGK012NE6A | BLP02N06-T

 

 
Back to Top

 


 
.