G90N04 Todos los transistores

 

G90N04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G90N04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 898 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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G90N04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1039K  goford
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G90N04

G90N04GOFORDDescription The uses advanced trench technology and G90N04design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =45V,ID =90A RDS(ON)

Otros transistores... G50N03K , G5N50T , G5N50F , G5N50J , G5N50K , G6P06 , G7P03L , G86N06K , STP65NF06 , GC11N65T , GC11N65F , GC11N65K , GC11N70K , GC11N70T , GC11N70F , GT045N10M , GT045N10T .

History: BF256B | 2SK2550 | 2N7002CSM | AUIRFSL3206 | SPA20N60C3 | 2SK2049 | BLS60R380F-P

 

 
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