G90N04 Todos los transistores

 

G90N04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G90N04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 898 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de G90N04 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

G90N04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1039K  goford
 g90n04.pdf pdf_icon

G90N04

G90N04GOFORDDescription The uses advanced trench technology and G90N04design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =45V,ID =90A RDS(ON)

 9.1. Size:511K  jiejie micro
 jmtg90n02a.pdf pdf_icon

G90N04

JMTG90N02ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 20V, 75A Load SwitchRDS(ON)

 9.2. Size:922K  cn minos
 mpg90n08p mpg90n08s.pdf pdf_icon

G90N04

80V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MPG90N08 uses advanced trench technology toprovide excellent R , low gate charge. It can be usedDS(ON)ina wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 80V,I = 90ADS DR

Otros transistores... G50N03K , G5N50T , G5N50F , G5N50J , G5N50K , G6P06 , G7P03L , G86N06K , RU7088R , GC11N65T , GC11N65F , GC11N65K , GC11N70K , GC11N70T , GC11N70F , GT045N10M , GT045N10T .

History: AP02N70EJ-HF | NCE4503S | FTK40P04D | APT6013LFLL | AP02N40J-HF

 

 
Back to Top

 


 
.