G90N04 Todos los transistores

 

G90N04 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G90N04

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 45 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 898 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: TO-252

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G90N04 datasheet

 ..1. Size:1039K  goford
 g90n04.pdf pdf_icon

G90N04

G90N04 GOFORD Description The uses advanced trench technology and G90N04 design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =45V,ID =90A RDS(ON)

 9.1. Size:511K  jiejie micro
 jmtg90n02a.pdf pdf_icon

G90N04

JMTG90N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 75A Load Switch RDS(ON)

 9.2. Size:922K  cn minos
 mpg90n08p mpg90n08s.pdf pdf_icon

G90N04

80V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MPG90N08 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can be used DS(ON) ina wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS V = 80V,I = 90A DS D R

Otros transistores... G50N03K , G5N50T , G5N50F , G5N50J , G5N50K , G6P06 , G7P03L , G86N06K , IRFZ46N , GC11N65T , GC11N65F , GC11N65K , GC11N70K , GC11N70T , GC11N70F , GT045N10M , GT045N10T .

History: APM4500

 

 

 

 

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