Справочник MOSFET. G90N04

 

G90N04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G90N04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 898 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для G90N04

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G90N04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1039K  goford
 g90n04.pdf pdf_icon

G90N04

G90N04GOFORDDescription The uses advanced trench technology and G90N04design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =45V,ID =90A RDS(ON)

Другие MOSFET... G50N03K , G5N50T , G5N50F , G5N50J , G5N50K , G6P06 , G7P03L , G86N06K , STP65NF06 , GC11N65T , GC11N65F , GC11N65K , GC11N70K , GC11N70T , GC11N70F , GT045N10M , GT045N10T .

History: WFD4N60B | SM6F02NSW | BSC014NE2LSI | P1060ATF | AF1333P | ELM32D548A | SWX170R15ET

 

 
Back to Top

 


 
.