G90N04 - аналоги и даташиты транзистора

 

G90N04 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: G90N04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 898 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для G90N04

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G90N04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1039K  goford
 g90n04.pdf pdf_icon

G90N04

G90N04GOFORDDescription The uses advanced trench technology and G90N04design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =45V,ID =90A RDS(ON)

 9.1. Size:511K  jiejie micro
 jmtg90n02a.pdf pdf_icon

G90N04

JMTG90N02ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 20V, 75A Load SwitchRDS(ON)

 9.2. Size:922K  cn minos
 mpg90n08p mpg90n08s.pdf pdf_icon

G90N04

80V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe MPG90N08 uses advanced trench technology toprovide excellent R , low gate charge. It can be usedDS(ON)ina wide variety of applications.KEY CHARACTERISTICS V = 80V,I = 90ADS DR

Другие MOSFET... G50N03K , G5N50T , G5N50F , G5N50J , G5N50K , G6P06 , G7P03L , G86N06K , RU7088R , GC11N65T , GC11N65F , GC11N65K , GC11N70K , GC11N70T , GC11N70F , GT045N10M , GT045N10T .

History: WM05N03M | SSM3J109TU | SSM3J111TU | NCE01H21T | IRHMK597160 | 2SK3082STL | RCJ160N20

 

 
Back to Top

 


 
.