G90N04 - описание и поиск аналогов

 

G90N04. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G90N04

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 898 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для G90N04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G90N04 даташит

 ..1. Size:1039K  goford
 g90n04.pdf pdf_icon

G90N04

G90N04 GOFORD Description The uses advanced trench technology and G90N04 design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =45V,ID =90A RDS(ON)

 9.1. Size:511K  jiejie micro
 jmtg90n02a.pdf pdf_icon

G90N04

JMTG90N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 75A Load Switch RDS(ON)

 9.2. Size:922K  cn minos
 mpg90n08p mpg90n08s.pdf pdf_icon

G90N04

80V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION The MPG90N08 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge. It can be used DS(ON) ina wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS V = 80V,I = 90A DS D R

Другие MOSFET... G50N03K , G5N50T , G5N50F , G5N50J , G5N50K , G6P06 , G7P03L , G86N06K , IRFZ46N , GC11N65T , GC11N65F , GC11N65K , GC11N70K , GC11N70T , GC11N70F , GT045N10M , GT045N10T .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.