GC11N70F Todos los transistores

 

GC11N70F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GC11N70F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.395 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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GC11N70F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4032K  goford
 gc11n70k gc11n70t gc11n70f.pdf pdf_icon

GC11N70F

GOFORD GC11N70 Description RDS (ON ) The GC11N70 uses advanced super junction technology and VDSID @ (max) 10V design to provide excellent R and low gate charge. This DS(ON)device is suitable for industry AC-DC SMPS requirement of 11 700V 395m A PFC, AC/DC power conversion, and other industrial power application. General Features New technology for high

 9.1. Size:4333K  goford
 gc11n65t gc11n65f gc11n65k.pdf pdf_icon

GC11N70F

GC11N65 GOFORD Description VDS RDS (ON ) ID The GC11N 65 uses advanced super junction technology and @ (Max) 10V design to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with low gate voltages. This device is suitable for 650V 360m 11 A industrys AC-DC SMPS requirement for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power application. General F

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History: DMP3098L | LNC07R085H

 

 
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