Справочник MOSFET. GC11N70F

 

GC11N70F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GC11N70F
   Маркировка: GC11N70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.395 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GC11N70F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4032K  goford
 gc11n70k gc11n70t gc11n70f.pdf pdf_icon

GC11N70F

GOFORD GC11N70 Description RDS (ON ) The GC11N70 uses advanced super junction technology and VDSID @ (max) 10V design to provide excellent R and low gate charge. This DS(ON)device is suitable for industry AC-DC SMPS requirement of 11 700V 395m A PFC, AC/DC power conversion, and other industrial power application. General Features New technology for high

 9.1. Size:4333K  goford
 gc11n65t gc11n65f gc11n65k.pdf pdf_icon

GC11N70F

GC11N65 GOFORD Description VDS RDS (ON ) ID The GC11N 65 uses advanced super junction technology and @ (Max) 10V design to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with low gate voltages. This device is suitable for 650V 360m 11 A industrys AC-DC SMPS requirement for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power application. General F

Другие MOSFET... G7P03L , G86N06K , G90N04 , GC11N65T , GC11N65F , GC11N65K , GC11N70K , GC11N70T , IRF9640 , GT045N10M , GT045N10T , GT045N10D5 , GT060N10T , GT060N10M , GT070N15T , GT1003A , GT1003B .

History: HGA059N12SL | FCH104N60F-F085 | SKI06073

 

 
Back to Top

 


 
.