GT045N10M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: GT045N10M
   Código: GT045N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 101.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 792 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET GT045N10M

GT045N10M Datasheet (PDF)

..1. Size:927K goford
gt045n10m gt045n10t.pdf

GOFORDGT045N10N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe GT045N10 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a widevariety of applications.General FeaturesSchematic Diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 130A RDS(ON) (at VGS = 10V)

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gt045n10d5.pdf

GOFORDGT045N10D5N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe GT045N10D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used ina wide variety of applications.Schematic DiagramGeneral Features VDS 100V ID (at VGS = 10V) 80A RDS(ON) (at VGS = 10V)

6.2. Size:1286K goford
gt045n10d5.pdf

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Liste

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