GT045N10M - описание и поиск аналогов

 

GT045N10M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GT045N10M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 792 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для GT045N10M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GT045N10M даташит

 ..1. Size:927K  goford
 gt045n10m gt045n10t.pdf pdf_icon

GT045N10M

GOFORD GT045N10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT045N10 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic Diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 130A RDS(ON) (at VGS = 10V)

 6.1. Size:1286K  1
 gt045n10d5.pdf pdf_icon

GT045N10M

GOFORD GT045N10D5 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT045N10D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Schematic Diagram General Features VDS 100V ID (at VGS = 10V) 80A RDS(ON) (at VGS = 10V)

 6.2. Size:1286K  goford
 gt045n10d5.pdf pdf_icon

GT045N10M

GOFORD GT045N10D5 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT045N10D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Schematic Diagram General Features VDS 100V ID (at VGS = 10V) 80A RDS(ON) (at VGS = 10V)

Другие MOSFET... G86N06K , G90N04 , GC11N65T , GC11N65F , GC11N65K , GC11N70K , GC11N70T , GC11N70F , EMB04N03H , GT045N10T , GT045N10D5 , GT060N10T , GT060N10M , GT070N15T , GT1003A , GT1003B , GT10N10 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.