GT045N10D5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT045N10D5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 792 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
- Selección de transistores por parámetros
GT045N10D5 Datasheet (PDF)
gt045n10d5.pdf

GOFORDGT045N10D5N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe GT045N10D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used ina wide variety of applications.Schematic DiagramGeneral Features VDS 100V ID (at VGS = 10V) 80A RDS(ON) (at VGS = 10V)
gt045n10d5.pdf

GOFORDGT045N10D5N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe GT045N10D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used ina wide variety of applications.Schematic DiagramGeneral Features VDS 100V ID (at VGS = 10V) 80A RDS(ON) (at VGS = 10V)
gt045n10m gt045n10t.pdf

GOFORDGT045N10N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe GT045N10 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a widevariety of applications.General FeaturesSchematic Diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 130A RDS(ON) (at VGS = 10V)
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: NCE60N1K0R | STW24N60M2 | 2SK2907-01 | WMQ46N03T1 | FDB6690S | RUH1H130S | NCEP070N10GU
History: NCE60N1K0R | STW24N60M2 | 2SK2907-01 | WMQ46N03T1 | FDB6690S | RUH1H130S | NCEP070N10GU



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent