GT045N10D5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT045N10D5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 792 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

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GT045N10D5 datasheet

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GT045N10D5

GOFORD GT045N10D5 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT045N10D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Schematic Diagram General Features VDS 100V ID (at VGS = 10V) 80A RDS(ON) (at VGS = 10V)

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GT045N10D5

GOFORD GT045N10D5 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT045N10D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Schematic Diagram General Features VDS 100V ID (at VGS = 10V) 80A RDS(ON) (at VGS = 10V)

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GT045N10D5

GOFORD GT045N10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT045N10 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic Diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 130A RDS(ON) (at VGS = 10V)

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