GT045N10D5 - аналоги и даташиты транзистора

 

GT045N10D5 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: GT045N10D5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 792 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для GT045N10D5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GT045N10D5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1286K  1
 gt045n10d5.pdf pdf_icon

GT045N10D5

GOFORDGT045N10D5N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe GT045N10D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used ina wide variety of applications.Schematic DiagramGeneral Features VDS 100V ID (at VGS = 10V) 80A RDS(ON) (at VGS = 10V)

 ..2. Size:1286K  goford
 gt045n10d5.pdf pdf_icon

GT045N10D5

GOFORDGT045N10D5N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe GT045N10D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used ina wide variety of applications.Schematic DiagramGeneral Features VDS 100V ID (at VGS = 10V) 80A RDS(ON) (at VGS = 10V)

 6.1. Size:927K  goford
 gt045n10m gt045n10t.pdf pdf_icon

GT045N10D5

GOFORDGT045N10N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe GT045N10 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a widevariety of applications.General FeaturesSchematic Diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 130A RDS(ON) (at VGS = 10V)

Другие MOSFET... GC11N65T , GC11N65F , GC11N65K , GC11N70K , GC11N70T , GC11N70F , GT045N10M , GT045N10T , STP65NF06 , GT060N10T , GT060N10M , GT070N15T , GT1003A , GT1003B , GT10N10 , GT125N10T , GT125N10M .

 

 
Back to Top

 


 
.