GT060N10T Todos los transistores

 

GT060N10T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GT060N10T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 323 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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GT060N10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:578K  goford
 gt060n10t gt060n10m.pdf pdf_icon

GT060N10T

GOFORDGT060N10N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe GT060N10 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic Diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 120A RDS(ON) (at VGS = 10V)

Otros transistores... GC11N65F , GC11N65K , GC11N70K , GC11N70T , GC11N70F , GT045N10M , GT045N10T , GT045N10D5 , HY1906P , GT060N10M , GT070N15T , GT1003A , GT1003B , GT10N10 , GT125N10T , GT125N10M , GT125N10F .

History: AP4028GEMT | NX3008PBKV | SI8816EDB | DMN3150L | SWP046R08E8T | CJQ9926 | SM2F04NSU

 

 
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