GT060N10T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GT060N10T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 323 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для GT060N10T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GT060N10T даташит

 ..1. Size:578K  goford
 gt060n10t gt060n10m.pdf pdf_icon

GT060N10T

GOFORD GT060N10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT060N10 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic Diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 120A RDS(ON) (at VGS = 10V)

Другие IGBT... GC11N65F, GC11N65K, GC11N70K, GC11N70T, GC11N70F, GT045N10M, GT045N10T, GT045N10D5, AOD4184A, GT060N10M, GT070N15T, GT1003A, GT1003B, GT10N10, GT125N10T, GT125N10M, GT125N10F