GT060N10M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT060N10M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 323 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm

Encapsulados: TO-263

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GT060N10M datasheet

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GT060N10M

GOFORD GT060N10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT060N10 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic Diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 120A RDS(ON) (at VGS = 10V)

Otros transistores... GC11N65K, GC11N70K, GC11N70T, GC11N70F, GT045N10M, GT045N10T, GT045N10D5, GT060N10T, AO4407A, GT070N15T, GT1003A, GT1003B, GT10N10, GT125N10T, GT125N10M, GT125N10F, GT12N06S