GT060N10M Todos los transistores

 

GT060N10M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GT060N10M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 323 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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GT060N10M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:578K  goford
 gt060n10t gt060n10m.pdf pdf_icon

GT060N10M

GOFORDGT060N10N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe GT060N10 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic Diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 120A RDS(ON) (at VGS = 10V)

Otros transistores... GC11N65K , GC11N70K , GC11N70T , GC11N70F , GT045N10M , GT045N10T , GT045N10D5 , GT060N10T , AO3407 , GT070N15T , GT1003A , GT1003B , GT10N10 , GT125N10T , GT125N10M , GT125N10F , GT12N06S .

History: FTK9452 | HGD028NE6A | AM3458N | IRFP9140NPBF | IPD100N06S4-03 | IPB055N03L | NCE70N290K

 

 
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