GT060N10M - аналоги и даташиты транзистора

 

GT060N10M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: GT060N10M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 323 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для GT060N10M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GT060N10M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:578K  goford
 gt060n10t gt060n10m.pdf pdf_icon

GT060N10M

GOFORDGT060N10N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe GT060N10 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic Diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 120A RDS(ON) (at VGS = 10V)

Другие MOSFET... GC11N65K , GC11N70K , GC11N70T , GC11N70F , GT045N10M , GT045N10T , GT045N10D5 , GT060N10T , BS170 , GT070N15T , GT1003A , GT1003B , GT10N10 , GT125N10T , GT125N10M , GT125N10F , GT12N06S .

History: STD5NM50 | FTK3610 | IRF7706G | JSM6764 | SFR9220 | MSF14N60 | IPP023N04N

 

 
Back to Top

 


 
.