GT070N15T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: GT070N15T
   Código: GT070N15
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 400 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 140 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 177 nC
   Tiempo de subida (tr): 32.3 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2273 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

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GT070N15T Datasheet (PDF)

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gt070n15t.pdf

GOFORD GT070N15TN-Channel MOSFETDescription use advanced technology to provide low GT070N15T ,R DS(ON) low gate charge, fast switching and excellentavalanche characteristics. This device is specially designed to get better ruggedness and suitable to useSchematic diagramin motor control applications.General Features VDS 150V ID (at VGS = 10V) 140A RDS(ON) (a

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Liste

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