GT070N15T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT070N15T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2273 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: TO-220

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GT070N15T datasheet

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GT070N15T

GOFORD GT070N15T N-Channel MOSFET Description use advanced technology to provide low GT070N15T , R DS(ON) low gate charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed to get better ruggedness and suitable to use Schematic diagram in motor control applications. General Features VDS 150V ID (at VGS = 10V) 140A RDS(ON) (a

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