GT070N15T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: GT070N15T
Маркировка: GT070N15
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 400 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 140 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 177 nC
Время нарастания (tr): 32.3 ns
Выходная емкость (Cd): 2273 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO-220
GT070N15T Datasheet (PDF)
..1. Size:1199K goford
gt070n15t.pdf
gt070n15t.pdf
GOFORD GT070N15TN-Channel MOSFETDescription use advanced technology to provide low GT070N15T ,R DS(ON) low gate charge, fast switching and excellentavalanche characteristics. This device is specially designed to get better ruggedness and suitable to useSchematic diagramin motor control applications.General Features VDS 150V ID (at VGS = 10V) 140A RDS(ON) (a
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
