GT070N15T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GT070N15T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2273 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для GT070N15T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GT070N15T даташит

 ..1. Size:1199K  goford
 gt070n15t.pdf pdf_icon

GT070N15T

GOFORD GT070N15T N-Channel MOSFET Description use advanced technology to provide low GT070N15T , R DS(ON) low gate charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed to get better ruggedness and suitable to use Schematic diagram in motor control applications. General Features VDS 150V ID (at VGS = 10V) 140A RDS(ON) (a

Другие IGBT... GC11N70K, GC11N70T, GC11N70F, GT045N10M, GT045N10T, GT045N10D5, GT060N10T, GT060N10M, 60N06, GT1003A, GT1003B, GT10N10, GT125N10T, GT125N10M, GT125N10F, GT12N06S, GT130N03D5