Справочник MOSFET. GT070N15T

 

GT070N15T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GT070N15T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 32.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2273 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GT070N15T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1199K  goford
 gt070n15t.pdf pdf_icon

GT070N15T

GOFORD GT070N15TN-Channel MOSFETDescription use advanced technology to provide low GT070N15T ,R DS(ON) low gate charge, fast switching and excellentavalanche characteristics. This device is specially designed to get better ruggedness and suitable to useSchematic diagramin motor control applications.General Features VDS 150V ID (at VGS = 10V) 140A RDS(ON) (a

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STW56N60M2-4 | FDC654P | OSG55R074HSZF | IXFX30N110P | 2SK1501 | TPC8A02-H | PNMET20V06E

 

 
Back to Top

 


 
.