GT125N10M Todos los transistores

 

GT125N10M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT125N10M

Código: GT125N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 101.6 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 792.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm

Encapsulados: TO-263

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GT125N10M datasheet

 ..1. Size:3940K  goford
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GT125N10M

GT125N10 GOFORD General Description GT125N10 use advanced SFGMOSTM RDS(ON) technology to provide low R , low gate DS(ON) VDSS ID @10V (Typ.) charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed 100V 130 A 4.1m to get better ruggedness and suitable to use in motor control applications. Applications Features Consu

 9.1. Size:414K  russia
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GT125N10M

Otros transistores... GT045N10D5 , GT060N10T , GT060N10M , GT070N15T , GT1003A , GT1003B , GT10N10 , GT125N10T , IRF3205 , GT125N10F , GT12N06S , GT130N03D5 , GT15N10S , GT45N06 , GT52N10D5 , GT52N10T , GT55N06 .

History: IRFBF30

 

 

 


 
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