GT125N10M Todos los transistores

 

GT125N10M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT125N10M

Código: GT125N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 192 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 100 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 130 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 101.6 nC

Tiempo de elevación (tr): 7.5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 792.3 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0046 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-263

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GT125N10M Datasheet (PDF)

0.1. gt125n10t gt125n10m gt125n10f.pdf Size:3940K _goford

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GT125N10GOFORD General Description GT125N10 use advanced SFGMOSTM RDS(ON)technology to provide low R , low gate DS(ON) VDSS ID @10V (Typ.)charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed 100V 130A4.1mto get better ruggedness and suitable to use in motor control applications. Applications Features Consu

9.1. gt125a-b-v-g-d-e-zh-i-k-l.pdf Size:414K _russia

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