GT125N10M - аналоги и даташиты транзистора

 

GT125N10M - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: GT125N10M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 792.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0046 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для GT125N10M

 

GT125N10M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3940K  goford
 gt125n10t gt125n10m gt125n10f.pdf pdf_icon

GT125N10M

GT125N10 GOFORD General Description GT125N10 use advanced SFGMOSTM RDS(ON) technology to provide low R , low gate DS(ON) VDSS ID @10V (Typ.) charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed 100V 130 A 4.1m to get better ruggedness and suitable to use in motor control applications. Applications Features Consu

 9.1. Size:414K  russia
 gt125a-b-v-g-d-e-zh-i-k-l.pdf pdf_icon

GT125N10M

Другие MOSFET... GT045N10D5 , GT060N10T , GT060N10M , GT070N15T , GT1003A , GT1003B , GT10N10 , GT125N10T , IRF3205 , GT125N10F , GT12N06S , GT130N03D5 , GT15N10S , GT45N06 , GT52N10D5 , GT52N10T , GT55N06 .

 

 
Back to Top

 


 
.