GT12N06S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT12N06S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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GT12N06S datasheet

 ..1. Size:864K  goford
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GT12N06S

GOFORD GT12N06S N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT12N06S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic Diagram VDS 60V ID (at VGS = 10V) 12A RDS(ON) (at VGS = 10V)

 9.1. Size:1077K  kec
 kgt12n120ndh.pdf pdf_icon

GT12N06S

SEMICONDUCTOR KGT12N120NDH TECHNICAL DATA General Description KEC NPT IGBTs offer low switching losses, high energy efficiency and high avalanche ruggedness for soft switching application such as IH(induction heating), microwave oven, etc. FEATURES High speed switching High system efficiency Soft current turn-off waveforms Extremely enhanced avalanche capability MAXIMUM RAT

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