GT12N06S Todos los transistores

 

GT12N06S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GT12N06S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

 Búsqueda de reemplazo de GT12N06S MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

GT12N06S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:864K  goford
 gt12n06s.pdf pdf_icon

GT12N06S

GOFORDGT12N06SN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe GT12N06S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic Diagram VDS 60V ID (at VGS = 10V) 12A RDS(ON) (at VGS = 10V)

 9.1. Size:1077K  kec
 kgt12n120ndh.pdf pdf_icon

GT12N06S

SEMICONDUCTORKGT12N120NDHTECHNICAL DATAGeneral DescriptionKEC NPT IGBTs offer low switching losses, high energy efficiencyand high avalanche ruggedness for soft switching application such asIH(induction heating), microwave oven, etc.FEATURES High speed switchingHigh system efficiencySoft current turn-off waveformsExtremely enhanced avalanche capabilityMAXIMUM RAT

Otros transistores... GT060N10M , GT070N15T , GT1003A , GT1003B , GT10N10 , GT125N10T , GT125N10M , GT125N10F , IRF840 , GT130N03D5 , GT15N10S , GT45N06 , GT52N10D5 , GT52N10T , GT55N06 , GT68N12T , GT68N12M .

History: FDMS9408F085 | PHD101NQ03LT | NVF2955 | TSF20N50M | AP01L60T-H-HF | DMG3N60SCT | APT4012SVFRG

 

 
Back to Top

 


 
.