Справочник MOSFET. GT12N06S

 

GT12N06S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: GT12N06S

Маркировка: GT12N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 31 nC

Время нарастания (tr): 4.5 ns

Выходная емкость (Cd): 470 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для GT12N06S

 

 

GT12N06S Datasheet (PDF)

0.1. gt12n06s.pdf Size:864K _goford

GT12N06S
GT12N06S

GOFORDGT12N06SN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe GT12N06S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic Diagram VDS 60V ID (at VGS = 10V) 12A RDS(ON) (at VGS = 10V)

9.1. kgt12n120ndh.pdf Size:1077K _kec

GT12N06S
GT12N06S

SEMICONDUCTORKGT12N120NDHTECHNICAL DATAGeneral DescriptionKEC NPT IGBTs offer low switching losses, high energy efficiencyand high avalanche ruggedness for soft switching application such asIH(induction heating), microwave oven, etc.FEATURES High speed switchingHigh system efficiencySoft current turn-off waveformsExtremely enhanced avalanche capabilityMAXIMUM RAT

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top