GT12N06S - аналоги и даташиты транзистора

 

GT12N06S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: GT12N06S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для GT12N06S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GT12N06S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:864K  goford
 gt12n06s.pdf pdf_icon

GT12N06S

GOFORDGT12N06SN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe GT12N06S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic Diagram VDS 60V ID (at VGS = 10V) 12A RDS(ON) (at VGS = 10V)

 9.1. Size:1077K  kec
 kgt12n120ndh.pdf pdf_icon

GT12N06S

SEMICONDUCTORKGT12N120NDHTECHNICAL DATAGeneral DescriptionKEC NPT IGBTs offer low switching losses, high energy efficiencyand high avalanche ruggedness for soft switching application such asIH(induction heating), microwave oven, etc.FEATURES High speed switchingHigh system efficiencySoft current turn-off waveformsExtremely enhanced avalanche capabilityMAXIMUM RAT

Другие MOSFET... GT060N10M , GT070N15T , GT1003A , GT1003B , GT10N10 , GT125N10T , GT125N10M , GT125N10F , IRF840 , GT130N03D5 , GT15N10S , GT45N06 , GT52N10D5 , GT52N10T , GT55N06 , GT68N12T , GT68N12M .

History: SSPL2015 | BUK114-50L-S | FTK7N65DD

 

 
Back to Top

 


 
.