GT12N06S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GT12N06S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для GT12N06S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GT12N06S даташит

 ..1. Size:864K  goford
 gt12n06s.pdf pdf_icon

GT12N06S

GOFORD GT12N06S N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT12N06S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic Diagram VDS 60V ID (at VGS = 10V) 12A RDS(ON) (at VGS = 10V)

 9.1. Size:1077K  kec
 kgt12n120ndh.pdf pdf_icon

GT12N06S

SEMICONDUCTOR KGT12N120NDH TECHNICAL DATA General Description KEC NPT IGBTs offer low switching losses, high energy efficiency and high avalanche ruggedness for soft switching application such as IH(induction heating), microwave oven, etc. FEATURES High speed switching High system efficiency Soft current turn-off waveforms Extremely enhanced avalanche capability MAXIMUM RAT

Другие IGBT... GT060N10M, GT070N15T, GT1003A, GT1003B, GT10N10, GT125N10T, GT125N10M, GT125N10F, IRF840, GT130N03D5, GT15N10S, GT45N06, GT52N10D5, GT52N10T, GT55N06, GT68N12T, GT68N12M