GT130N03D5 Todos los transistores

 

GT130N03D5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT130N03D5

Código: GT130N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 36 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 115 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.2 V

Carga de compuerta (Qg): 20 nC

Tiempo de elevación (tr): 3 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 360 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0035 Ohm

Empaquetado / Estuche: DFN5X6-8L

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GT130N03D5 Datasheet (PDF)

0.1. gt130n03d5.pdf Size:708K _goford

GT130N03D5
GT130N03D5

GOFORDGT130N03D5N-Channel Enhancement Mode PowerMOSFETDescriptionThe GT130N03D5 uses advanced trench technology toprovide excellent R , low gate charge. It can be usedDS(ON) in a wide variety of applications.General Features VDS 30V Schematic Diagram ID (at VGS = 10V) 115A RDS(ON) (at VGS = 10V)

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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