Справочник MOSFET. GT130N03D5

 

GT130N03D5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: GT130N03D5

Маркировка: GT130N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 36 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 115 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 20 nC

Время нарастания (tr): 3 ns

Выходная емкость (Cd): 360 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0035 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для GT130N03D5

 

 

GT130N03D5 Datasheet (PDF)

0.1. gt130n03d5.pdf Size:708K _goford

GT130N03D5
GT130N03D5

GOFORDGT130N03D5N-Channel Enhancement Mode PowerMOSFETDescriptionThe GT130N03D5 uses advanced trench technology toprovide excellent R , low gate charge. It can be usedDS(ON) in a wide variety of applications.General Features VDS 30V Schematic Diagram ID (at VGS = 10V) 115A RDS(ON) (at VGS = 10V)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top