GT45N06 Todos los transistores

 

GT45N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT45N06

Código: GT45N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 60 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 45 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 31 nC

Tiempo de elevación (tr): 4.5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 470 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0082 Ohm

Empaquetado / Estuche: DFN3X3-8L

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GT45N06 Datasheet (PDF)

0.1. gt45n06.pdf Size:2712K _goford

GT45N06
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GOFORDGT45N06General Features RDS(ON) RDS(ON) VDSS ID @10V (typ) @4.5V (typ) 60V 6.8 m 9.5m 45A Split Gate Trench Power MV MOSFET technology Low RDS(ON)Low Gate ChargeOptimized for fast-switching applications RoHS CompliantTop ViewApplicationsDDD DDD Synchronus Rectification in DC/DC and AC/DC D Pin1DConvertersSG

9.1. ixgt45n120.pdf Size:62K _ixys

GT45N06
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IXGH 45N120 VCES = 1200 VIXGT 45N120 IC25 = 75 AIGBTVCE(sat) = 2.5 VHigh Voltage, Low VCE(sat)tfi(typ) = 390 nsPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VGVGES Continuous 20 VEC (TAB)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C, limited by leads 75 ATO-247 AD (I

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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