GT45N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GT45N06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для GT45N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GT45N06 даташит

 ..1. Size:2712K  goford
 gt45n06.pdf pdf_icon

GT45N06

GOFORD GT45N06 General Features RDS(ON) RDS(ON) VDSS ID @10V (typ) @4.5V (typ) 60V 6.8 m 9.5m 45A Split Gate Trench Power MV MOSFET technology Low RDS(ON) Low Gate Charge Optimized for fast-switching applications RoHS Compliant Top View Applications D D D D D D Synchronus Rectification in DC/DC and AC/DC D Pin1 D Converters S G

 9.1. Size:62K  ixys
 ixgt45n120.pdf pdf_icon

GT45N06

IXGH 45N120 VCES = 1200 V IXGT 45N120 IC25 = 75 A IGBT VCE(sat) = 2.5 V High Voltage, Low VCE(sat) tfi(typ) = 390 ns Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V G VGES Continuous 20 V E C (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C, limited by leads 75 A TO-247 AD (I

Другие IGBT... GT1003B, GT10N10, GT125N10T, GT125N10M, GT125N10F, GT12N06S, GT130N03D5, GT15N10S, IRF540, GT52N10D5, GT52N10T, GT55N06, GT68N12T, GT68N12M, XM2N200, DMP3007SPS, DMP3013SFV