GT52N10D5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT52N10D5  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 71 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 457 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de GT52N10D5 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

GT52N10D5 datasheet

 ..1. Size:723K  1
 gt52n10d5.pdf pdf_icon

GT52N10D5

GOFORD GT52N10D5 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT52N10D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 71A RDS(ON) (at VGS = 10V)

 ..2. Size:723K  goford
 gt52n10d5.pdf pdf_icon

GT52N10D5

GOFORD GT52N10D5 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT52N10D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 71A RDS(ON) (at VGS = 10V)

 7.1. Size:679K  goford
 gt52n10t.pdf pdf_icon

GT52N10D5

GOFORD GT52N10T N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT52N10T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic Diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 80A RDS(ON) (at VGS = 10V)

Otros transistores... GT10N10, GT125N10T, GT125N10M, GT125N10F, GT12N06S, GT130N03D5, GT15N10S, GT45N06, IRF540N, GT52N10T, GT55N06, GT68N12T, GT68N12M, XM2N200, DMP3007SPS, DMP3013SFV, DMP3017SFGQ