GT52N10D5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GT52N10D5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 71 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 457 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для GT52N10D5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GT52N10D5 даташит

 ..1. Size:723K  1
 gt52n10d5.pdf pdf_icon

GT52N10D5

GOFORD GT52N10D5 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT52N10D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 71A RDS(ON) (at VGS = 10V)

 ..2. Size:723K  goford
 gt52n10d5.pdf pdf_icon

GT52N10D5

GOFORD GT52N10D5 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT52N10D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 71A RDS(ON) (at VGS = 10V)

 7.1. Size:679K  goford
 gt52n10t.pdf pdf_icon

GT52N10D5

GOFORD GT52N10T N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT52N10T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic Diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 80A RDS(ON) (at VGS = 10V)

Другие IGBT... GT10N10, GT125N10T, GT125N10M, GT125N10F, GT12N06S, GT130N03D5, GT15N10S, GT45N06, 50N06, GT52N10T, GT55N06, GT68N12T, GT68N12M, XM2N200, DMP3007SPS, DMP3013SFV, DMP3017SFGQ