GT52N10T Todos los transistores

 

GT52N10T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT52N10T

Código: GT52N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 227 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 100 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.2 V

Carga de compuerta (Qg): 44.5 nC

Tiempo de elevación (tr): 62 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 457 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.009 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET GT52N10T

 

GT52N10T Datasheet (PDF)

0.1. gt52n10t.pdf Size:679K _goford

GT52N10T
GT52N10T

GOFORDGT52N10TN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe GT52N10T uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic Diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 80A RDS(ON) (at VGS = 10V)

7.1. gt52n10d5.pdf Size:723K _goford

GT52N10T
GT52N10T

GOFORD GT52N10D5N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe GT52N10D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 71A RDS(ON) (at VGS = 10V)

 

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


GT52N10T
  GT52N10T
  GT52N10T
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: HSS2310A | HSS2308A | HSS2307A | HSS2307 | HSS2306A | HSS2305A | HSS2302B | HSS2302A | HSS2301C | HSS2301B | HSS2300A | HSS2012 | HSS1N20 | HSS0127 | HSS0008 | HSP8N50

 

 

 
Back to Top