GT52N10T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: GT52N10T
   Código: GT52N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 227 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 44.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 457 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET GT52N10T

GT52N10T Datasheet (PDF)

..1. Size:679K goford
gt52n10t.pdf

GOFORDGT52N10TN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe GT52N10T uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic Diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 80A RDS(ON) (at VGS = 10V)

7.1. Size:723K 1
gt52n10d5.pdf

GOFORD GT52N10D5N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe GT52N10D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 71A RDS(ON) (at VGS = 10V)

7.2. Size:723K goford
gt52n10d5.pdf

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