GT52N10T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: GT52N10T
   Código: GT52N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 227 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.2 V
   Carga de la puerta (Qg): 44.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 62 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 457 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET GT52N10T

GT52N10T Datasheet (PDF)

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gt52n10t.pdf

GOFORDGT52N10TN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe GT52N10T uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic Diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 80A RDS(ON) (at VGS = 10V)

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gt52n10d5.pdf

GOFORD GT52N10D5N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe GT52N10D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 71A RDS(ON) (at VGS = 10V)

7.2. Size:723K goford
gt52n10d5.pdf