Справочник MOSFET. GT52N10T

 

GT52N10T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GT52N10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 457 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GT52N10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:679K  goford
 gt52n10t.pdf pdf_icon

GT52N10T

GOFORDGT52N10TN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe GT52N10T uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic Diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 80A RDS(ON) (at VGS = 10V)

 7.1. Size:723K  1
 gt52n10d5.pdf pdf_icon

GT52N10T

GOFORD GT52N10D5N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe GT52N10D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 71A RDS(ON) (at VGS = 10V)

 7.2. Size:723K  goford
 gt52n10d5.pdf pdf_icon

GT52N10T

GOFORD GT52N10D5N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe GT52N10D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 71A RDS(ON) (at VGS = 10V)

Другие MOSFET... GT125N10T , GT125N10M , GT125N10F , GT12N06S , GT130N03D5 , GT15N10S , GT45N06 , GT52N10D5 , IRF640 , GT55N06 , GT68N12T , GT68N12M , XM2N200 , DMP3007SPS , DMP3013SFV , DMP3017SFGQ , DMP3036SFV .

 

 
Back to Top

 


 
.