GT52N10T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: GT52N10T
Маркировка: GT52N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 227 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 44.5 nC
Время нарастания (tr): 62 ns
Выходная емкость (Cd): 457 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO-220
GT52N10T Datasheet (PDF)
0.1. gt52n10t.pdf 
Size:679K _goford
GOFORDGT52N10TN-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe GT52N10T uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic Diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 80A RDS(ON) (at VGS = 10V)
7.1. gt52n10d5.pdf Size:723K _goford
GOFORD GT52N10D5N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe GT52N10D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 71A RDS(ON) (at VGS = 10V)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
