GT52N10T - описание и поиск аналогов

 

GT52N10T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GT52N10T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 457 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для GT52N10T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GT52N10T даташит

 ..1. Size:679K  goford
 gt52n10t.pdf pdf_icon

GT52N10T

GOFORD GT52N10T N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT52N10T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic Diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 80A RDS(ON) (at VGS = 10V)

 7.1. Size:723K  1
 gt52n10d5.pdf pdf_icon

GT52N10T

GOFORD GT52N10D5 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT52N10D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 71A RDS(ON) (at VGS = 10V)

 7.2. Size:723K  goford
 gt52n10d5.pdf pdf_icon

GT52N10T

GOFORD GT52N10D5 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GT52N10D5 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDS 100V ID (at VGS = 10V) 71A RDS(ON) (at VGS = 10V)

Другие MOSFET... GT125N10T , GT125N10M , GT125N10F , GT12N06S , GT130N03D5 , GT15N10S , GT45N06 , GT52N10D5 , IRFP460 , GT55N06 , GT68N12T , GT68N12M , XM2N200 , DMP3007SPS , DMP3013SFV , DMP3017SFGQ , DMP3036SFV .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.