GT55N06 Todos los transistores

 

GT55N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT55N06

Código: GT55N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 70 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 60 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 53 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 31 nC

Tiempo de elevación (tr): 4.5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 470 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0082 Ohm

Empaquetado / Estuche: DFN5X6-8L

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GT55N06 Datasheet (PDF)

0.1. gt55n06.pdf Size:11366K _goford

GT55N06
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GOFORDGT55N06Description The GT55N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram RDS(ON) RDS(ON) VDSS ID @10V (typ) @4.5V (typ) 60V 53A 6.8 9.5 m m Marking and pin assignment High density cell design for ultra low Rdson

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