GT55N06 Todos los transistores

 

GT55N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GT55N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 53 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0082 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
 

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GT55N06 Datasheet (PDF)

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GT55N06

GOFORDGT55N06Description The GT55N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram RDS(ON) RDS(ON) VDSS ID @10V (typ) @4.5V (typ) 60V 53A 6.8 9.5 m m Marking and pin assignment High density cell design for ultra low Rdson

 ..2. Size:11366K  goford
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GT55N06

GOFORDGT55N06Description The GT55N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram RDS(ON) RDS(ON) VDSS ID @10V (typ) @4.5V (typ) 60V 53A 6.8 9.5 m m Marking and pin assignment High density cell design for ultra low Rdson

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History: SI2304DDS | SL17N06DN1 | AUIRFS3806 | IPA60R280CFD7 | CJS8804 | STD6NK50Z | IPD079N06L3G

 

 
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