Справочник MOSFET. GT55N06

 

GT55N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: GT55N06

Маркировка: GT55N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 53 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 31 nC

Время нарастания (tr): 4.5 ns

Выходная емкость (Cd): 470 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0082 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для GT55N06

 

 

GT55N06 Datasheet (PDF)

0.1. gt55n06.pdf Size:11366K _goford

GT55N06
GT55N06

GOFORDGT55N06Description The GT55N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram RDS(ON) RDS(ON) VDSS ID @10V (typ) @4.5V (typ) 60V 53A 6.8 9.5 m m Marking and pin assignment High density cell design for ultra low Rdson

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top