GT55N06 - аналоги и даташиты транзистора

 

GT55N06 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: GT55N06
   Маркировка: GT55N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 31 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L

 Аналог (замена) для GT55N06

 

GT55N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:11366K  1
 gt55n06.pdf pdf_icon

GT55N06

GOFORD GT55N06 Description The GT55N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram RDS(ON) RDS(ON) VDSS ID @10V (typ) @4.5V (typ) 60V 53A 6.8 9.5 m m Marking and pin assignment High density cell design for ultra low Rdson

 ..2. Size:11366K  goford
 gt55n06.pdf pdf_icon

GT55N06

GOFORD GT55N06 Description The GT55N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram RDS(ON) RDS(ON) VDSS ID @10V (typ) @4.5V (typ) 60V 53A 6.8 9.5 m m Marking and pin assignment High density cell design for ultra low Rdson

Другие MOSFET... GT125N10M , GT125N10F , GT12N06S , GT130N03D5 , GT15N10S , GT45N06 , GT52N10D5 , GT52N10T , IRFZ44 , GT68N12T , GT68N12M , XM2N200 , DMP3007SPS , DMP3013SFV , DMP3017SFGQ , DMP3036SFV , DMP3098LQ .

 

 
Back to Top

 


 
.