GT55N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GT55N06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для GT55N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GT55N06 даташит

 ..1. Size:11366K  1
 gt55n06.pdf pdf_icon

GT55N06

GOFORD GT55N06 Description The GT55N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram RDS(ON) RDS(ON) VDSS ID @10V (typ) @4.5V (typ) 60V 53A 6.8 9.5 m m Marking and pin assignment High density cell design for ultra low Rdson

 ..2. Size:11366K  goford
 gt55n06.pdf pdf_icon

GT55N06

GOFORD GT55N06 Description The GT55N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram RDS(ON) RDS(ON) VDSS ID @10V (typ) @4.5V (typ) 60V 53A 6.8 9.5 m m Marking and pin assignment High density cell design for ultra low Rdson

Другие IGBT... GT125N10M, GT125N10F, GT12N06S, GT130N03D5, GT15N10S, GT45N06, GT52N10D5, GT52N10T, IRFB4110, GT68N12T, GT68N12M, XM2N200, DMP3007SPS, DMP3013SFV, DMP3017SFGQ, DMP3036SFV, DMP3098LQ