GT68N12T Todos los transistores

 

GT68N12T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GT68N12T
   Código: GT68N12
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 68.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 778.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de GT68N12T MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

GT68N12T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3575K  goford
 gt68n12m gt68n12t.pdf pdf_icon

GT68N12T

GOFORDGT68N12Description RDS(ON) GT68N12 use advanced technology to provide low VDSS ID @10V (typ) , R DS(ON) low gate charge, fast switching and s device characteristics. Thi excellent avalanche 120V m 5 110Ais specially designed to get better ruggednessand suitable to use in motor control applications.General Features Low R & FOM DS(on) Ext

Otros transistores... GT125N10F , GT12N06S , GT130N03D5 , GT15N10S , GT45N06 , GT52N10D5 , GT52N10T , GT55N06 , IRFP460 , GT68N12M , XM2N200 , DMP3007SPS , DMP3013SFV , DMP3017SFGQ , DMP3036SFV , DMP3098LQ , DMP3125L .

History: SM4804DSK | NCE85H25 | STF18N65M2 | IRF3704ZL | BLS6G2731S-130 | HGA115N15S | IPB80N04S3-H4

 

 
Back to Top

 


 
.