Справочник MOSFET. GT68N12T

 

GT68N12T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GT68N12T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 778.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для GT68N12T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GT68N12T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3575K  goford
 gt68n12m gt68n12t.pdf pdf_icon

GT68N12T

GOFORDGT68N12Description RDS(ON) GT68N12 use advanced technology to provide low VDSS ID @10V (typ) , R DS(ON) low gate charge, fast switching and s device characteristics. Thi excellent avalanche 120V m 5 110Ais specially designed to get better ruggednessand suitable to use in motor control applications.General Features Low R & FOM DS(on) Ext

Другие MOSFET... GT125N10F , GT12N06S , GT130N03D5 , GT15N10S , GT45N06 , GT52N10D5 , GT52N10T , GT55N06 , IRFP460 , GT68N12M , XM2N200 , DMP3007SPS , DMP3013SFV , DMP3017SFGQ , DMP3036SFV , DMP3098LQ , DMP3125L .

History: BUZ31H | FS20KM-5 | IRF40H233

 

 
Back to Top

 


 
.