Справочник MOSFET. GT68N12T

 

GT68N12T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: GT68N12T

Маркировка: GT68N12

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 120 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 110 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 68.9 nC

Время нарастания (tr): 33 ns

Выходная емкость (Cd): 778.8 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для GT68N12T

 

 

GT68N12T Datasheet (PDF)

0.1. gt68n12m gt68n12t.pdf Size:3575K _goford

GT68N12T
GT68N12T

GOFORDGT68N12Description RDS(ON) GT68N12 use advanced technology to provide low VDSS ID @10V (typ) , R DS(ON) low gate charge, fast switching and s device characteristics. Thi excellent avalanche 120V m 5 110Ais specially designed to get better ruggednessand suitable to use in motor control applications.General Features Low R & FOM DS(on) Ext

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top