GT68N12T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: GT68N12T
Маркировка: GT68N12
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 120 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 110 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 68.9 nC
Время нарастания (tr): 33 ns
Выходная емкость (Cd): 778.8 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO-220
GT68N12T Datasheet (PDF)
0.1. gt68n12m gt68n12t.pdf 
Size:3575K _goford
GOFORDGT68N12Description RDS(ON) GT68N12 use advanced technology to provide low VDSS ID @10V (typ) , R DS(ON) low gate charge, fast switching and s device characteristics. Thi excellent avalanche 120V m 5 110Ais specially designed to get better ruggednessand suitable to use in motor control applications.General Features Low R & FOM DS(on) Ext
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
