GT68N12M Todos los transistores

 

GT68N12M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GT68N12M

Código: GT68N12

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 192 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 120 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 110 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 68.9 nC

Tiempo de elevación (tr): 33 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 778.8 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0065 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-263

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GT68N12M Datasheet (PDF)

0.1. gt68n12m gt68n12t.pdf Size:3575K _goford

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GOFORDGT68N12Description RDS(ON) GT68N12 use advanced technology to provide low VDSS ID @10V (typ) , R DS(ON) low gate charge, fast switching and s device characteristics. Thi excellent avalanche 120V m 5 110Ais specially designed to get better ruggednessand suitable to use in motor control applications.General Features Low R & FOM DS(on) Ext

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