GT68N12M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT68N12M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 778.8 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de GT68N12M MOSFET
GT68N12M Datasheet (PDF)
gt68n12m gt68n12t.pdf

GOFORDGT68N12Description RDS(ON) GT68N12 use advanced technology to provide low VDSS ID @10V (typ) , R DS(ON) low gate charge, fast switching and s device characteristics. Thi excellent avalanche 120V m 5 110Ais specially designed to get better ruggednessand suitable to use in motor control applications.General Features Low R & FOM DS(on) Ext
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History: HY4504B6 | KP751V | BRCS200N04DSC | ZXMS6006DGQ | SWY7N65D | GSM6820
History: HY4504B6 | KP751V | BRCS200N04DSC | ZXMS6006DGQ | SWY7N65D | GSM6820



Liste
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