GT68N12M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: GT68N12M
   Código: GT68N12
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 68.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 778.8 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

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GT68N12M Datasheet (PDF)

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gt68n12m gt68n12t.pdf

GOFORDGT68N12Description RDS(ON) GT68N12 use advanced technology to provide low VDSS ID @10V (typ) , R DS(ON) low gate charge, fast switching and s device characteristics. Thi excellent avalanche 120V m 5 110Ais specially designed to get better ruggednessand suitable to use in motor control applications.General Features Low R & FOM DS(on) Ext

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History: FDS8840NZ

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