GT68N12M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GT68N12M  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 778.8 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для GT68N12M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GT68N12M даташит

 ..1. Size:3575K  goford
 gt68n12m gt68n12t.pdf pdf_icon

GT68N12M

GOFORD GT68N12 Description RDS(ON) GT68N12 use advanced technology to provide low VDSS ID @10V (typ) , R DS(ON) low gate charge, fast switching and s device characteristics. Thi excellent avalanche 120V m 5 110A is specially designed to get better ruggedness and suitable to use in motor control applications. General Features Low R & FOM DS(on) Ext

Другие IGBT... GT12N06S, GT130N03D5, GT15N10S, GT45N06, GT52N10D5, GT52N10T, GT55N06, GT68N12T, IRF640, XM2N200, DMP3007SPS, DMP3013SFV, DMP3017SFGQ, DMP3036SFV, DMP3098LQ, DMP3125L, DMP32D5SFB