Справочник MOSFET. GT68N12M

 

GT68N12M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GT68N12M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 778.8 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GT68N12M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3575K  goford
 gt68n12m gt68n12t.pdf pdf_icon

GT68N12M

GOFORDGT68N12Description RDS(ON) GT68N12 use advanced technology to provide low VDSS ID @10V (typ) , R DS(ON) low gate charge, fast switching and s device characteristics. Thi excellent avalanche 120V m 5 110Ais specially designed to get better ruggednessand suitable to use in motor control applications.General Features Low R & FOM DS(on) Ext

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: BS107PT | HTM035N03 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | IXFP10N80P

 

 
Back to Top

 


 
.