XM2N200 Todos los transistores

 

XM2N200 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: XM2N200

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 190 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3 V

Carga de compuerta (Qg): 12 nC

Tiempo de elevación (tr): 12 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 90 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.54 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-92

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XM2N200 Datasheet (PDF)

0.1. xm2n200.pdf Size:2138K _goford

XM2N200
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GOFORDXM2N200.DDescription The XM2N200.uses advanced trench technology and Gdesign to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features SSchematic diagram VDSS RDS(ON) ID @10V (typ) 190V 356.6m 2A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage an

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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