XM2N200 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: XM2N200  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 190 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.54 Ohm

Encapsulados: TO-92

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de XM2N200 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

XM2N200 datasheet

 ..1. Size:2138K  goford
 xm2n200.pdf pdf_icon

XM2N200

GOFORD XM2N200. D Description The XM2N200.uses advanced trench technology and G design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features S Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @ 10V (typ) 190V 356.6m 2A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage an

Otros transistores... GT130N03D5, GT15N10S, GT45N06, GT52N10D5, GT52N10T, GT55N06, GT68N12T, GT68N12M, IRLZ44N, DMP3007SPS, DMP3013SFV, DMP3017SFGQ, DMP3036SFV, DMP3098LQ, DMP3125L, DMP32D5SFB, DMP4013LFGQ