XM2N200 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: XM2N200
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 3 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 190 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de compuerta (Qg): 12 nC
Tiempo de elevación (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 90 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.54 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-92
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XM2N200 Datasheet (PDF)
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GOFORDXM2N200.DDescription The XM2N200.uses advanced trench technology and Gdesign to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features SSchematic diagram VDSS RDS(ON) ID @10V (typ) 190V 356.6m 2A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage an
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