Справочник MOSFET. XM2N200

 

XM2N200 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: XM2N200
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 190 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.54 Ohm
   Тип корпуса: TO-92
 

 Аналог (замена) для XM2N200

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

XM2N200 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2138K  goford
 xm2n200.pdf pdf_icon

XM2N200

GOFORDXM2N200.DDescription The XM2N200.uses advanced trench technology and Gdesign to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features SSchematic diagram VDSS RDS(ON) ID @10V (typ) 190V 356.6m 2A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage an

Другие MOSFET... GT130N03D5 , GT15N10S , GT45N06 , GT52N10D5 , GT52N10T , GT55N06 , GT68N12T , GT68N12M , IRFP260N , DMP3007SPS , DMP3013SFV , DMP3017SFGQ , DMP3036SFV , DMP3098LQ , DMP3125L , DMP32D5SFB , DMP4013LFGQ .

History: SM6027NSU | STH55N10FI

 

 
Back to Top

 


 
.