Справочник MOSFET. XM2N200

 

XM2N200 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: XM2N200

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 190 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 12 nC

Время нарастания (tr): 12 ns

Выходная емкость (Cd): 90 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.54 Ohm

Тип корпуса: TO-92

Аналог (замена) для XM2N200

 

 

XM2N200 Datasheet (PDF)

0.1. xm2n200.pdf Size:2138K _goford

XM2N200
XM2N200

GOFORDXM2N200.DDescription The XM2N200.uses advanced trench technology and Gdesign to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features SSchematic diagram VDSS RDS(ON) ID @10V (typ) 190V 356.6m 2A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage an

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top