DMP6350S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMP6350S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.17 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de DMP6350S MOSFET
DMP6350S Datasheet (PDF)
dmp6350s.pdf

DMP6350S 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID Max BVDSS RDS(ON) Max TA = +25C Low Input Capacitance Fast Switching Speed -1.5A 350m @ VGS = -10V Low Input/Output Leakage -60V 550m @ VGS = -4.5V -1.2A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony
Otros transistores... DMP4013LFGQ , DMP4065SQ , DMP510DL , DMP6050SFG , DMP610DL , DMP6110SVT , DMP6180SK3Q , DMP6185SEQ , K3569 , DMPH6050SK3 , DMPH6050SK3Q , DMT10H009LCG , DMT10H010LK3 , DMT10H010LSS , DMT10H015LPS , DMT10H015LSS , DMT3002LPS .
History: NDBA180N10B | PE5A1BA | SSM5N05FU | HGA155N15S | NTMFD5C674NLT1G | APT21M100J | TPV65R160C
History: NDBA180N10B | PE5A1BA | SSM5N05FU | HGA155N15S | NTMFD5C674NLT1G | APT21M100J | TPV65R160C



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
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