Справочник MOSFET. DMP6350S

 

DMP6350S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DMP6350S
   Маркировка: P35
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для DMP6350S

 

 

DMP6350S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:476K  diodes
 dmp6350s.pdf

DMP6350S DMP6350S

DMP6350S 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID Max BVDSS RDS(ON) Max TA = +25C Low Input Capacitance Fast Switching Speed -1.5A 350m @ VGS = -10V Low Input/Output Leakage -60V 550m @ VGS = -4.5V -1.2A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top