DMP6350S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DMP6350S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.17 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 3.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
Тип корпуса: SOT23
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
DMP6350S Datasheet (PDF)
dmp6350s.pdf

DMP6350S 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID Max BVDSS RDS(ON) Max TA = +25C Low Input Capacitance Fast Switching Speed -1.5A 350m @ VGS = -10V Low Input/Output Leakage -60V 550m @ VGS = -4.5V -1.2A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: AM90N06-10PCFM | SIHG47N60S | TMU3N40ZG | HGI110N08AL | NP48N055DLE | IRHNA597160 | 9N95
History: AM90N06-10PCFM | SIHG47N60S | TMU3N40ZG | HGI110N08AL | NP48N055DLE | IRHNA597160 | 9N95



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irfp460n datasheet | mj15025g | ksa1381 replacement | m3056m mosfet | skd502t mosfet | tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent