DMPH6050SK3Q Todos los transistores

 

DMPH6050SK3Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMPH6050SK3Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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DMPH6050SK3Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:440K  diodes
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DMPH6050SK3Q

DMPH6050SK3QGreenQ 60V +175C P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID max Rated to +175 Ideal for High Ambient Temperature C BVDSS RDS(ON) max TC = +25C Environments 50m @ VGS = -10V -23.6A 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable -60V 70m @ VGS = -4.5V -20A and Robust End Application Low Qg

 3.1. Size:478K  diodes
 dmph6050sk3.pdf pdf_icon

DMPH6050SK3Q

DMPH6050SK3 Green60V 175C P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Rated to +175 Ideal for High Ambient Temperature C ID max BVDSS RDS(ON) max Environments TC = +25C 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable 50m @ VGS = -10V -23.6A -60V and Robust End Application 70m @ VGS = -4.5V -20A Low Qg

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History: IPD050N10N5 | AFP1433 | PH4840S | H6N70D | RP1A090ZPTR | IPD220N06L3G | IPD50N04S4-08

 

 
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