Справочник MOSFET. DMPH6050SK3Q

 

DMPH6050SK3Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMPH6050SK3Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для DMPH6050SK3Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMPH6050SK3Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:440K  diodes
dmph6050sk3q.pdfpdf_icon

DMPH6050SK3Q

DMPH6050SK3QGreenQ 60V +175C P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID max Rated to +175 Ideal for High Ambient Temperature C BVDSS RDS(ON) max TC = +25C Environments 50m @ VGS = -10V -23.6A 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable -60V 70m @ VGS = -4.5V -20A and Robust End Application Low Qg

 3.1. Size:478K  diodes
dmph6050sk3.pdfpdf_icon

DMPH6050SK3Q

DMPH6050SK3 Green60V 175C P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Rated to +175 Ideal for High Ambient Temperature C ID max BVDSS RDS(ON) max Environments TC = +25C 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable 50m @ VGS = -10V -23.6A -60V and Robust End Application 70m @ VGS = -4.5V -20A Low Qg

Другие MOSFET... DMP510DL , DMP6050SFG , DMP610DL , DMP6110SVT , DMP6180SK3Q , DMP6185SEQ , DMP6350S , DMPH6050SK3 , IRFP260 , DMT10H009LCG , DMT10H010LK3 , DMT10H010LSS , DMT10H015LPS , DMT10H015LSS , DMT3002LPS , DMT3006LFV , DMT3006LPS .

History: RSJ250P10 | CJL2013 | SVS5N65FJHD2 | RSD050N10FRA | IRHMS57260SE | IRF5EA1310 | AM4490NE

 

 
Back to Top

 


 
.