DMG8N65SCT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMG8N65SCT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
Encapsulados: TO220AB
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DMG8N65SCT datasheet
dmg8n65sct.pdf
DMG8N65SCT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low Input Capacitance BVDSS RDS(ON) Package TC = +25 C High BVDSS Rating for Power Application TO220AB 650V 1.3 @VGS = 10V 8A Low Input/Output Leakage (Type TH) Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Description
dmg8n65sct.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor DMG8N65SCT FEATURES Drain Current I = 8.0A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.3 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pu
Otros transistores... DMG10N60SCT , DMG3N60SJ3 , DMG4N60SCT , DMG4N60SJ3 , DMG4N60SK3 , DMG7N65SCT , DMG7N65SCTI , DMG7N65SJ3 , IRLB3034 , DMJ70H1D0SV3 , DMJ70H1D3SH3 , DMJ70H1D4SV3 , DMJ70H1D5SV3 , DMJ70H600SH3 , DMJ70H601SK3 , DMJ70H601SV3 , DMJ70H900HJ3 .
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