DMG8N65SCT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMG8N65SCT
Código: 8N65SCT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 30 nC
Tiempo de subida (tr): 46 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 115 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMG8N65SCT
DMG8N65SCT Datasheet (PDF)
dmg8n65sct.pdf
DMG8N65SCT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low Input Capacitance BVDSS RDS(ON) Package TC = +25C High BVDSS Rating for Power Application TO220AB 650V 1.3@VGS = 10V 8A Low Input/Output Leakage (Type TH) Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Description
dmg8n65sct.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor DMG8N65SCTFEATURESDrain Current I = 8.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.3(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpu
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
