Справочник MOSFET. DMG8N65SCT

 

DMG8N65SCT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMG8N65SCT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для DMG8N65SCT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG8N65SCT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:450K  diodes
 dmg8n65sct.pdf pdf_icon

DMG8N65SCT

DMG8N65SCT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low Input Capacitance BVDSS RDS(ON) Package TC = +25C High BVDSS Rating for Power Application TO220AB 650V 1.3@VGS = 10V 8A Low Input/Output Leakage (Type TH) Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Description

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
 dmg8n65sct.pdf pdf_icon

DMG8N65SCT

isc N-Channel MOSFET Transistor DMG8N65SCTFEATURESDrain Current I = 8.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 650V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 1.3(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpu

Другие MOSFET... DMG10N60SCT , DMG3N60SJ3 , DMG4N60SCT , DMG4N60SJ3 , DMG4N60SK3 , DMG7N65SCT , DMG7N65SCTI , DMG7N65SJ3 , 60N06 , DMJ70H1D0SV3 , DMJ70H1D3SH3 , DMJ70H1D4SV3 , DMJ70H1D5SV3 , DMJ70H600SH3 , DMJ70H601SK3 , DMJ70H601SV3 , DMJ70H900HJ3 .

History: 2SK2063 | NVA4001N

 

 
Back to Top

 


 
.