DMG8N65SCT - описание и поиск аналогов

 

DMG8N65SCT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMG8N65SCT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для DMG8N65SCT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMG8N65SCT даташит

 ..1. Size:450K  diodes
 dmg8n65sct.pdf pdf_icon

DMG8N65SCT

DMG8N65SCT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low Input Capacitance BVDSS RDS(ON) Package TC = +25 C High BVDSS Rating for Power Application TO220AB 650V 1.3 @VGS = 10V 8A Low Input/Output Leakage (Type TH) Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Description

 ..2. Size:261K  inchange semiconductor
 dmg8n65sct.pdf pdf_icon

DMG8N65SCT

isc N-Channel MOSFET Transistor DMG8N65SCT FEATURES Drain Current I = 8.0A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.3 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pu

Другие MOSFET... DMG10N60SCT , DMG3N60SJ3 , DMG4N60SCT , DMG4N60SJ3 , DMG4N60SK3 , DMG7N65SCT , DMG7N65SCTI , DMG7N65SJ3 , IRLB3034 , DMJ70H1D0SV3 , DMJ70H1D3SH3 , DMJ70H1D4SV3 , DMJ70H1D5SV3 , DMJ70H600SH3 , DMJ70H601SK3 , DMJ70H601SV3 , DMJ70H900HJ3 .

History: D4NK50Z-TO252 | APQ02SN65AA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.