DMN80H2D0SCTI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DMN80H2D0SCTI
   Código: 80H2D0S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 35.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMN80H2D0SCTI

DMN80H2D0SCTI Datasheet (PDF)

..1. Size:393K diodes
dmn80h2d0scti.pdf

DMN80H2D0SCTI N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID BVDSS RDS(ON) Package High BVDSS Rating for Power Application TC = +25C ITO220AB Low Input/Output Leakage 800V 2.0@VGS = 10V 7A (Type TH) Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Descrip

..2. Size:251K inchange semiconductor
dmn80h2d0scti.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor DMN80H2D0SCTIFEATURESDrain Current I = 7A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.0(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalp

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Liste

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