DMN80H2D0SCTI Todos los transistores

 

DMN80H2D0SCTI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMN80H2D0SCTI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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DMN80H2D0SCTI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:393K  diodes
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DMN80H2D0SCTI

DMN80H2D0SCTI N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID BVDSS RDS(ON) Package High BVDSS Rating for Power Application TC = +25C ITO220AB Low Input/Output Leakage 800V 2.0@VGS = 10V 7A (Type TH) Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Descrip

 ..2. Size:251K  inchange semiconductor
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DMN80H2D0SCTI

isc N-Channel MOSFET Transistor DMN80H2D0SCTIFEATURESDrain Current I = 7A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.0(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalp

Otros transistores... DMJ70H600SH3 , DMJ70H601SK3 , DMJ70H601SV3 , DMJ70H900HJ3 , DMN15H310SK3 , DMN6017SK3 , DMN60H3D5SK3 , DMN60H4D5SK3 , BS170 , DMN90H2D2HCTI , DMN90H8D5HCT , DMN90H8D5HCTI , DMN95H2D2HCTI , DMN95H8D5HCTI , DMNH10H028SCT , DMNH10H028SK3 , DMNH3010LK3 .

History: OSG60R028HTF | QM3009K | QM3009S | DMN3018SFG | IRHMS597260 | SH8K25 | AO8807

 

 
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