Справочник MOSFET. DMN80H2D0SCTI

 

DMN80H2D0SCTI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN80H2D0SCTI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для DMN80H2D0SCTI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN80H2D0SCTI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:393K  diodes
 dmn80h2d0scti.pdf pdf_icon

DMN80H2D0SCTI

DMN80H2D0SCTI N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID BVDSS RDS(ON) Package High BVDSS Rating for Power Application TC = +25C ITO220AB Low Input/Output Leakage 800V 2.0@VGS = 10V 7A (Type TH) Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Descrip

 ..2. Size:251K  inchange semiconductor
 dmn80h2d0scti.pdf pdf_icon

DMN80H2D0SCTI

isc N-Channel MOSFET Transistor DMN80H2D0SCTIFEATURESDrain Current I = 7A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 800V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.0(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalp

Другие MOSFET... DMJ70H600SH3 , DMJ70H601SK3 , DMJ70H601SV3 , DMJ70H900HJ3 , DMN15H310SK3 , DMN6017SK3 , DMN60H3D5SK3 , DMN60H4D5SK3 , BS170 , DMN90H2D2HCTI , DMN90H8D5HCT , DMN90H8D5HCTI , DMN95H2D2HCTI , DMN95H8D5HCTI , DMNH10H028SCT , DMNH10H028SK3 , DMNH3010LK3 .

History: STS4DNF30L | VS3620GA | WM02P40ME | VBM1201M | GC11N65F | L2N7002KDW1T1G

 

 
Back to Top

 


 
.