DMN80H2D0SCTI - описание и поиск аналогов

 

DMN80H2D0SCTI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN80H2D0SCTI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для DMN80H2D0SCTI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN80H2D0SCTI даташит

 ..1. Size:393K  diodes
 dmn80h2d0scti.pdf pdf_icon

DMN80H2D0SCTI

DMN80H2D0SCTI N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low Input Capacitance ID BVDSS RDS(ON) Package High BVDSS Rating for Power Application TC = +25 C ITO220AB Low Input/Output Leakage 800V 2.0 @VGS = 10V 7A (Type TH) Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) Descrip

 ..2. Size:251K  inchange semiconductor
 dmn80h2d0scti.pdf pdf_icon

DMN80H2D0SCTI

isc N-Channel MOSFET Transistor DMN80H2D0SCTI FEATURES Drain Current I = 7A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 800V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 2.0 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general p

Другие MOSFET... DMJ70H600SH3 , DMJ70H601SK3 , DMJ70H601SV3 , DMJ70H900HJ3 , DMN15H310SK3 , DMN6017SK3 , DMN60H3D5SK3 , DMN60H4D5SK3 , IRF730 , DMN90H2D2HCTI , DMN90H8D5HCT , DMN90H8D5HCTI , DMN95H2D2HCTI , DMN95H8D5HCTI , DMNH10H028SCT , DMNH10H028SK3 , DMNH3010LK3 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.