HLP5305 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HLP5305
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VRds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HLP5305
HLP5305 Datasheet (PDF)
hlp5305.pdf
isc P-Channel MOSFET Transistor HLP5305FEATURESDrain Current I = -31A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = -55V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 65m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Liste
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