HLP5305. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: HLP5305
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для HLP5305
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HLP5305 даташит
hlp5305.pdf
isc P-Channel MOSFET Transistor HLP5305 FEATURES Drain Current I = -31A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = -55V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 65m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo
Другие MOSFET... DMTH10H010LCT , DMTH10H010SCT , DMTH4005SCT , DMTH6004SCT , DMTH6004SCTB , DMTH6005LCT , DMTH6010SCT , FCD260N65S3 , 2N7002 , ISCNL256N , ISP80N08S2L , NVD5C648NL , SUK3015 , EC4953 , EC8812 , EM8810 , EN2300 .
History: 2SK746 | IPA037N08N3 | EC4953
History: 2SK746 | IPA037N08N3 | EC4953
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219 | tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943
