ISCNL256N Todos los transistores

 

ISCNL256N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ISCNL256N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 178 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1456 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: TO3PN

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ISCNL256N datasheet

 ..1. Size:632K  inchange semiconductor
 iscnl256n.pdf pdf_icon

ISCNL256N

 9.1. Size:308K  inchange semiconductor
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ISCNL256N

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNL343D FEATURES Drain Current I = 30A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 40m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (U

 9.2. Size:307K  inchange semiconductor
 iscnl344d.pdf pdf_icon

ISCNL256N

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNL344D FEATURES Drain Current I = 35A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 23m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION DC/DC Converter Ideal for high-frequency switching and synchro

Otros transistores... DMTH10H010SCT , DMTH4005SCT , DMTH6004SCT , DMTH6004SCTB , DMTH6005LCT , DMTH6010SCT , FCD260N65S3 , HLP5305 , IRF9540N , ISP80N08S2L , NVD5C648NL , SUK3015 , EC4953 , EC8812 , EM8810 , EN2300 , EN2301 .

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