ISCNL256N - описание и поиск аналогов

 

ISCNL256N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ISCNL256N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 178 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1456 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для ISCNL256N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ISCNL256N даташит

 ..1. Size:632K  inchange semiconductor
 iscnl256n.pdf pdf_icon

ISCNL256N

 9.1. Size:308K  inchange semiconductor
 iscnl343d.pdf pdf_icon

ISCNL256N

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNL343D FEATURES Drain Current I = 30A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 40m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (U

 9.2. Size:307K  inchange semiconductor
 iscnl344d.pdf pdf_icon

ISCNL256N

isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNL344D FEATURES Drain Current I = 35A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 23m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION DC/DC Converter Ideal for high-frequency switching and synchro

Другие MOSFET... DMTH10H010SCT , DMTH4005SCT , DMTH6004SCT , DMTH6004SCTB , DMTH6005LCT , DMTH6010SCT , FCD260N65S3 , HLP5305 , IRF9540N , ISP80N08S2L , NVD5C648NL , SUK3015 , EC4953 , EC8812 , EM8810 , EN2300 , EN2301 .

History: 2SK1310 | CM9N90PZ | AGM60P30D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.