ISCNL256N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ISCNL256N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 178 ns
Выходная емкость (Cd): 1456 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.011 Ohm
Тип корпуса: TO3PN
ISCNL256N Datasheet (PDF)
iscnl256n.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNL256NDESCRIPTIONDrain Current I =60A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =60V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitch Mode Power Supply (SMPS)Uninterruptible Power Supply (UPS)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
iscnl343d.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNL343DFEATURESDrain Current : I = 30A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 40m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONSwitch Mode Power Supply (SMPS)Uninterruptible Power Supply (U
iscnl344d.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor ISCNL344DFEATURESDrain Current : I = 35A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 23m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDC/DC ConverterIdeal for high-frequency switchingand synchro
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: IXTQ220N075T | KNH3206A
