EC4953 Todos los transistores

 

EC4953 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EC4953

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.064 Ohm

Encapsulados: SOT23-6L

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EC4953 datasheet

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EC4953

Eternal Semiconductor Inc. EC4953 Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -4.8A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m )Max 85 @VGS = -2.5V,ID=-2.0A -20V -4.8A 64 @VGS = -4.5V,ID=-4.8A Features Super high dense cell trench design for low RDS(on) Advanced Trench Process Technology SOT-23-6L package Lead Pb -free and halogen-free 6 Pin 1 Gate 1 5 4 Pin 2

Otros transistores... DMTH6005LCT , DMTH6010SCT , FCD260N65S3 , HLP5305 , ISCNL256N , ISP80N08S2L , NVD5C648NL , SUK3015 , K3569 , EC8812 , EM8810 , EN2300 , EN2301 , EN2305 , ES4812 , ES4953 , ES9435 .

 

 

 

 

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