Справочник MOSFET. EC4953

 

EC4953 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EC4953
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

EC4953 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:419K  eternal
 ec4953.pdf pdf_icon

EC4953

Eternal Semiconductor Inc. EC4953Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -4.8A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)Max85 @VGS = -2.5V,ID=-2.0A-20V -4.8A64 @VGS = -4.5V,ID=-4.8AFeatures Super high dense cell trench design for low RDS(on) Advanced Trench Process Technology SOT-23-6L package LeadPb-free and halogen-free6Pin 1:Gate 15 4Pin 2

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.