Справочник MOSFET. EC4953

 

EC4953 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EC4953
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
 

 Аналог (замена) для EC4953

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EC4953 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:419K  eternal
 ec4953.pdf pdf_icon

EC4953

Eternal Semiconductor Inc. EC4953Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -4.8A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)Max85 @VGS = -2.5V,ID=-2.0A-20V -4.8A64 @VGS = -4.5V,ID=-4.8AFeatures Super high dense cell trench design for low RDS(on) Advanced Trench Process Technology SOT-23-6L package LeadPb-free and halogen-free6Pin 1:Gate 15 4Pin 2

Другие MOSFET... DMTH6005LCT , DMTH6010SCT , FCD260N65S3 , HLP5305 , ISCNL256N , ISP80N08S2L , NVD5C648NL , SUK3015 , SPP20N60C3 , EC8812 , EM8810 , EN2300 , EN2301 , EN2305 , ES4812 , ES4953 , ES9435 .

 

 
Back to Top

 


 
.