EC4953. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: EC4953
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6L
Аналог (замена) для EC4953
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
EC4953 даташит
ec4953.pdf
Eternal Semiconductor Inc. EC4953 Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -4.8A) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(on) (m )Max 85 @VGS = -2.5V,ID=-2.0A -20V -4.8A 64 @VGS = -4.5V,ID=-4.8A Features Super high dense cell trench design for low RDS(on) Advanced Trench Process Technology SOT-23-6L package Lead Pb -free and halogen-free 6 Pin 1 Gate 1 5 4 Pin 2
Другие MOSFET... DMTH6005LCT , DMTH6010SCT , FCD260N65S3 , HLP5305 , ISCNL256N , ISP80N08S2L , NVD5C648NL , SUK3015 , K3569 , EC8812 , EM8810 , EN2300 , EN2301 , EN2305 , ES4812 , ES4953 , ES9435 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943 | tip41c datasheet | mje15032 | tip32c datasheet | mje15032g | irf1404

