Справочник MOSFET. EC4953

 

EC4953 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: EC4953
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.9 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 6.5 nC
   Время нарастания (tr): 3.3 ns
   Выходная емкость (Cd): 86 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.064 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L

 Аналог (замена) для EC4953

 

 

EC4953 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:419K  eternal
 ec4953.pdf

EC4953 EC4953

Eternal Semiconductor Inc. EC4953Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-20V, -4.8A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)Max85 @VGS = -2.5V,ID=-2.0A-20V -4.8A64 @VGS = -4.5V,ID=-4.8AFeatures Super high dense cell trench design for low RDS(on) Advanced Trench Process Technology SOT-23-6L package LeadPb-free and halogen-free6Pin 1:Gate 15 4Pin 2

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top