EC8812 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EC8812
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23-6L
Búsqueda de reemplazo de EC8812 MOSFET
EC8812 Datasheet (PDF)
ec8812.pdf

Eternal Semiconductor Inc.EC8812Dual N-Channel High Density Trench MOSFET (20V, 6.5A)PRODUCT SUMMARYVDSS ID RDS(on) (m)Max 16@ VGS = 4.5V, ID=6.5A20V 6.5A 17 @ VGS = 4.0V, ID=6A 24 @ VGS = 2.5V, ID=5.2AFeatures Advanced Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-Resistance Surface mount Package ESD Protected 1KV LeadPb-f
Otros transistores... DMTH6010SCT , FCD260N65S3 , HLP5305 , ISCNL256N , ISP80N08S2L , NVD5C648NL , SUK3015 , EC4953 , 8205A , EM8810 , EN2300 , EN2301 , EN2305 , ES4812 , ES4953 , ES9435 , ES9926 .
History: AP9960GH-HF | NP80N055NLE
History: AP9960GH-HF | NP80N055NLE



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